当前位置 : 主页 > 关于我们 > 新闻中心 >

ESD导致电子元器件故障两种模式

time发布时间:2020-12-21 10:21
visit阅读:75 次
随着工业4.0的启动与发展,人们的日常生活就已经离不开电子设备了,无论是出行、娱乐等等,随着对电子设备的需求量增大,很多商家都抓住了这个商机,进入电子零器件的生产、组装,一些没有了解清楚、贸然生产的无一不在静电放电上栽了一个大坑,在整个电子零器件的制造过程中,微粒污染、静电放电损坏以及与此相关联的设备停机,是静电带来的三大问题。静电放电具有随机性、隐蔽性、突发性等,往往不能有效地预防,只能够被动地进行相应的保护,减少这一过程的危害。我们今天就来聊一聊其危害的主要两个方式。
ESD导致的故障模式
电子元器件esd失效的两种模式
 
电子元器件在ESD的影响下失效,我们可以根据表现特征分为突发性完全失效和潜在失效两种模式。
1、突发性完全失效
静电冲击后,电子元器件的参数严重劣化,不再具有原来的功能特性,这被称为突发性完全失败。
在这种情况下,静电放电过程中经常会发生PN结的第二次破坏或介质破坏引起的开路、短路等不可逆过程。发生完全失效问题损失相对较小,因是功能完全失效在检测是很容易就会被检测出来,挑拣出来就可以。
完全失效——电子元器件被击穿
2、潜在性失效
如果静电冲击的电应力小于电子元器件的抗静电能力,则不足以使零件完全无效,但此时零件内部已发生损伤,但损伤较小,因此零件的参数无法显示出明显的异常。随着静电冲击次数的增加,损伤会持续累积,导致零件的参数漂移,这就是潜在的实效。随着使用时间的增加,这些设备可能会出现功能参数异常,甚至设备故障。潜在的失效不容易测量,这类具有潜在失效的电子元器件在应用中会存在一些不可控的因素。
潜在性失效——参数漂移